MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
现阶段在行业应用层面，排名头一个的是消费类电子器件适配器商品。而按照对MOS管的主要用途掌握，需求MOS管排名在第二的是计算机主板、NB、计算机电源适配器、LCD显示器等商品。在伴随着基本国情的发展趋势，计算机主板、计算机电源适配器、LCD显示器对MOS管的要求有要超出消费类电子器件适配器的状况了。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
场效应管的主要参数有很多种，其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数，但一般应用时只需关心下列基本参数：饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up，跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。